潘老师带领课题小组成员莅临我公司参观考察，由我公司创始人徐晓冬教授亲自接待。

  潘老师对我公司的PECVD设备的具体参数做了详细了解，对该设备在演示过程中的出色表现给予了充分肯定。

PECVD简介：

  该产品是由固态等离子源、气体质子流量控制系统、衬底控温系统、真空系统组成，采用集中总线控制技术的诺巴迪操作软件。适用于室温至1200℃条件下进行SiO2、SiNx薄膜的沉积，同时可实现TEOS源沉积，SiC膜层沉积以及液态气态源沉积其它材料，尤其适合于有机材料上高效保护层膜和特定温度下无损伤钝化膜的沉积。