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ZNO晶体基片
发布时间：2024-7-13 10:41:52 浏览次数：40
ZnO晶体基片，化学式为ZnO，是一种直接带隙的宽禁带半导体材料。这种晶体具有优秀的物理性质和多样的功能，如发光、电光、闪烁等。特别的，ZnO晶体的导带底和价带顶都位于布里渊区中心 Γ 点处，室温下的带隙宽度（实验值）为3.376eV。
在具体应用方面，ZnO单晶基片是优良的ZnO、GaN外延薄膜和器件的关键基片材料，特别适用于短波长发光器件，例如LEDs和LDs。此外，ZnO还因其在可见光区域的透明性、大的机电耦合系数以及气体分子在其表面的吸附和解吸特性，有望用于高峰值能量的能量限制器。
产品名称
ZnO 晶体基片
技术参数
晶体结构：六方晶系
晶格常数：a=3.325 Å c=5.213
Å
密度：5.605 g/cm3
晶体纯度：99.99%
介电常数：8.5
熔点：1975℃
莫氏硬度：4
热膨胀系数(10-6/K)：6.5//
a 3.7// c
热容：0.125(J /g.k)
透过波长：0.4~0.6um
热导率：30W/(m.k) at300K
生长方式：水热法
产品规格
常规晶向：<0001>、<11-20>、<10-10>
常规尺寸：10x10x0.5mm、10x10x1.0mm 20x20x0.5mm、20x20x1.0mm
晶体粗糙度：<5A
注：尺寸及方向可按照客户要求定做。
晶体缺陷
人工生长单晶都可能存在晶体内部缺陷。
标准包装
1000级超净室，100级超净袋或单片盒封装
晶体材料咨询电话：199-5653-2471王经理
ZnO晶体基片，化学式为ZnO，是一种直接带隙的宽禁带半导体材料。这种晶体具有优秀的物理性质和多样的功能，如发光、电光、闪烁等。特别的，ZnO晶体的导带底和价带顶都位于布里渊区中心 Γ 点处，室温下的带隙宽度（实验值）为3.376eV。
在具体应用方面，ZnO单晶基片是优良的ZnO、GaN外延薄膜和器件的关键基片材料，特别适用于短波长发光器件，例如LEDs和LDs。此外，ZnO还因其在可见光区域的透明性、大的机电耦合系数以及气体分子在其表面的吸附和解吸特性，有望用于高峰值能量的能量限制器。
产品名称
ZnO 晶体基片
技术参数
晶体结构：六方晶系
晶格常数：a=3.325 Å c=5.213
Å
密度：5.605 g/cm3
晶体纯度：99.99%
介电常数：8.5
熔点：1975℃
莫氏硬度：4
热膨胀系数(10-6/K)：6.5//
a 3.7// c
热容：0.125(J /g.k)
透过波长：0.4~0.6um
热导率：30W/(m.k) at300K
生长方式：水热法
产品规格
常规晶向：<0001>、<11-20>、<10-10>
常规尺寸：10x10x0.5mm、10x10x1.0mm 20x20x0.5mm、20x20x1.0mm
晶体粗糙度：<5A
注：尺寸及方向可按照客户要求定做。
晶体缺陷
人工生长单晶都可能存在晶体内部缺陷。
标准包装
1000级超净室，100级超净袋或单片盒封装
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ZnO晶体基片，化学式为ZnO，是一种直接带隙的宽禁带半导体材料。这种晶体具有优秀的物理性质和多样的功能，如发光、电光、闪烁等。特别的，ZnO晶体的导带底和价带顶都位于布里渊区中心 Γ 点处，室温下的带隙宽度（实验值）为3.376eV。
在具体应用方面，ZnO单晶基片是优良的ZnO、GaN外延薄膜和器件的关键基片材料，特别适用于短波长发光器件，例如LEDs和LDs。此外，ZnO还因其在可见光区域的透明性、大的机电耦合系数以及气体分子在其表面的吸附和解吸特性，有望用于高峰值能量的能量限制器。
产品名称
ZnO 晶体基片
技术参数
晶体结构：六方晶系
晶格常数：a=3.325 Å c=5.213
Å
密度：5.605 g/cm3
晶体纯度：99.99%
介电常数：8.5
熔点：1975℃
莫氏硬度：4
热膨胀系数(10-6/K)：6.5//
a 3.7// c
热容：0.125(J /g.k)
透过波长：0.4~0.6um
热导率：30W/(m.k) at300K
生长方式：水热法
产品规格
常规晶向：<0001>、<11-20>、<10-10>
常规尺寸：10x10x0.5mm、10x10x1.0mm 20x20x0.5mm、20x20x1.0mm
晶体粗糙度：<5A
注：尺寸及方向可按照客户要求定做。
晶体缺陷
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标准包装
1000级超净室，100级超净袋或单片盒封装
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ZnO晶体基片，化学式为ZnO，是一种直接带隙的宽禁带半导体材料。这种晶体具有优秀的物理性质和多样的功能，如发光、电光、闪烁等。特别的，ZnO晶体的导带底和价带顶都位于布里渊区中心 Γ 点处，室温下的带隙宽度（实验值）为3.376eV。
在具体应用方面，ZnO单晶基片是优良的ZnO、GaN外延薄膜和器件的关键基片材料，特别适用于短波长发光器件，例如LEDs和LDs。此外，ZnO还因其在可见光区域的透明性、大的机电耦合系数以及气体分子在其表面的吸附和解吸特性，有望用于高峰值能量的能量限制器。
产品名称
ZnO 晶体基片
技术参数
晶体结构：六方晶系
晶格常数：a=3.325 Å c=5.213
Å
密度：5.605 g/cm3
晶体纯度：99.99%
介电常数：8.5
熔点：1975℃
莫氏硬度：4
热膨胀系数(10-6/K)：6.5//
a 3.7// c
热容：0.125(J /g.k)
透过波长：0.4~0.6um
热导率：30W/(m.k) at300K
生长方式：水热法
产品规格
常规晶向：<0001>、<11-20>、<10-10>
常规尺寸：10x10x0.5mm、10x10x1.0mm 20x20x0.5mm、20x20x1.0mm
晶体粗糙度：<5A
注：尺寸及方向可按照客户要求定做。
晶体缺陷
人工生长单晶都可能存在晶体内部缺陷。
标准包装
1000级超净室，100级超净袋或单片盒封装
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ZnO晶体基片，化学式为ZnO，是一种直接带隙的宽禁带半导体材料。这种晶体具有优秀的物理性质和多样的功能，如发光、电光、闪烁等。特别的，ZnO晶体的导带底和价带顶都位于布里渊区中心 Γ 点处，室温下的带隙宽度（实验值）为3.376eV。
在具体应用方面，ZnO单晶基片是优良的ZnO、GaN外延薄膜和器件的关键基片材料，特别适用于短波长发光器件，例如LEDs和LDs。此外，ZnO还因其在可见光区域的透明性、大的机电耦合系数以及气体分子在其表面的吸附和解吸特性，有望用于高峰值能量的能量限制器。
产品名称
ZnO 晶体基片
技术参数
晶体结构：六方晶系
晶格常数：a=3.325 Å c=5.213
Å
密度：5.605 g/cm3
晶体纯度：99.99%
介电常数：8.5
熔点：1975℃
莫氏硬度：4
热膨胀系数(10-6/K)：6.5//
a 3.7// c
热容：0.125(J /g.k)
透过波长：0.4~0.6um
热导率：30W/(m.k) at300K
生长方式：水热法
产品规格
常规晶向：<0001>、<11-20>、<10-10>
常规尺寸：10x10x0.5mm、10x10x1.0mm 20x20x0.5mm、20x20x1.0mm
晶体粗糙度：<5A
注：尺寸及方向可按照客户要求定做。
晶体缺陷
人工生长单晶都可能存在晶体内部缺陷。
标准包装
1000级超净室，100级超净袋或单片盒封装
晶体材料咨询电话：199-5653-2471王经理
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