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TbScO3晶体基片
发布时间：2024-7-9 16:57:00 浏览次数：51
钪酸铽 (TbScO3)晶体基片是一种具有优异性能的晶体材料。它与钙钛矿结构的超导体有着良好的晶格匹配，因此被视为优秀的铁电薄膜衬底材料。熔点和密度等物性参数也使其在诸多领域有潜在的应用价值。此外，它的晶体方向可根据需要进行定制。这种晶体基片不仅被科研界广泛使用，也被工业界所青睐，因为它可以提供稳定性高、性能优良的基底，为各类高端设备的制造打下坚实的基础。
产品名称
TbScO3 晶体基片
技术参数
晶体结构：正交晶系
晶格常数：a=5.4543Å b=5.7233Å c=7.9147Å
密度：6.6 g/cm3
熔点：2127°C
生长方式：提拉法
产品规格
常规晶向： <110>、
晶向公差：±0.5°
常规尺寸：10x10x0.5mm；10x5x0.5mm；5x5x0.5mm
抛光情况：单抛、双抛
抛光面粗糙度：< 5A
注：尺寸及方向可按照客户要求定做。
晶体缺陷
人工生长单晶都可能存在晶体内部缺陷。
标准包装
1000级超净室，100级超净袋或单片盒封装
晶体材料咨询电话：199-5653-2471王经理
钪酸铽 (TbScO3)晶体基片是一种具有优异性能的晶体材料。它与钙钛矿结构的超导体有着良好的晶格匹配，因此被视为优秀的铁电薄膜衬底材料。熔点和密度等物性参数也使其在诸多领域有潜在的应用价值。此外，它的晶体方向可根据需要进行定制。这种晶体基片不仅被科研界广泛使用，也被工业界所青睐，因为它可以提供稳定性高、性能优良的基底，为各类高端设备的制造打下坚实的基础。
产品名称
TbScO3 晶体基片
技术参数
晶体结构：正交晶系
晶格常数：a=5.4543Å b=5.7233Å c=7.9147Å
密度：6.6 g/cm3
熔点：2127°C
生长方式：提拉法
产品规格
常规晶向： <110>、
晶向公差：±0.5°
常规尺寸：10x10x0.5mm；10x5x0.5mm；5x5x0.5mm
抛光情况：单抛、双抛
抛光面粗糙度：< 5A
注：尺寸及方向可按照客户要求定做。
晶体缺陷
人工生长单晶都可能存在晶体内部缺陷。
标准包装
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钪酸铽 (TbScO3)晶体基片是一种具有优异性能的晶体材料。它与钙钛矿结构的超导体有着良好的晶格匹配，因此被视为优秀的铁电薄膜衬底材料。熔点和密度等物性参数也使其在诸多领域有潜在的应用价值。此外，它的晶体方向可根据需要进行定制。这种晶体基片不仅被科研界广泛使用，也被工业界所青睐，因为它可以提供稳定性高、性能优良的基底，为各类高端设备的制造打下坚实的基础。
产品名称
TbScO3 晶体基片
技术参数
晶体结构：正交晶系
晶格常数：a=5.4543Å b=5.7233Å c=7.9147Å
密度：6.6 g/cm3
熔点：2127°C
生长方式：提拉法
产品规格
常规晶向： <110>、
晶向公差：±0.5°
常规尺寸：10x10x0.5mm；10x5x0.5mm；5x5x0.5mm
抛光情况：单抛、双抛
抛光面粗糙度：< 5A
注：尺寸及方向可按照客户要求定做。
晶体缺陷
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标准包装
1000级超净室，100级超净袋或单片盒封装
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钪酸铽 (TbScO3)晶体基片是一种具有优异性能的晶体材料。它与钙钛矿结构的超导体有着良好的晶格匹配，因此被视为优秀的铁电薄膜衬底材料。熔点和密度等物性参数也使其在诸多领域有潜在的应用价值。此外，它的晶体方向可根据需要进行定制。这种晶体基片不仅被科研界广泛使用，也被工业界所青睐，因为它可以提供稳定性高、性能优良的基底，为各类高端设备的制造打下坚实的基础。
产品名称
TbScO3 晶体基片
技术参数
晶体结构：正交晶系
晶格常数：a=5.4543Å b=5.7233Å c=7.9147Å
密度：6.6 g/cm3
熔点：2127°C
生长方式：提拉法
产品规格
常规晶向： <110>、
晶向公差：±0.5°
常规尺寸：10x10x0.5mm；10x5x0.5mm；5x5x0.5mm
抛光情况：单抛、双抛
抛光面粗糙度：< 5A
注：尺寸及方向可按照客户要求定做。
晶体缺陷
人工生长单晶都可能存在晶体内部缺陷。
标准包装
1000级超净室，100级超净袋或单片盒封装
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钪酸铽 (TbScO3)晶体基片是一种具有优异性能的晶体材料。它与钙钛矿结构的超导体有着良好的晶格匹配，因此被视为优秀的铁电薄膜衬底材料。熔点和密度等物性参数也使其在诸多领域有潜在的应用价值。此外，它的晶体方向可根据需要进行定制。这种晶体基片不仅被科研界广泛使用，也被工业界所青睐，因为它可以提供稳定性高、性能优良的基底，为各类高端设备的制造打下坚实的基础。
产品名称
TbScO3 晶体基片
技术参数
晶体结构：正交晶系
晶格常数：a=5.4543Å b=5.7233Å c=7.9147Å
密度：6.6 g/cm3
熔点：2127°C
生长方式：提拉法
产品规格
常规晶向： <110>、
晶向公差：±0.5°
常规尺寸：10x10x0.5mm；10x5x0.5mm；5x5x0.5mm
抛光情况：单抛、双抛
抛光面粗糙度：< 5A
注：尺寸及方向可按照客户要求定做。
晶体缺陷
人工生长单晶都可能存在晶体内部缺陷。
标准包装
1000级超净室，100级超净袋或单片盒封装
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