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4H-SiC晶体基片
发布时间：2024-7-9 16:37:48 浏览次数：50
4H-SiC晶体基片是碳化硅（SiC）的一种晶体类型，碳化硅有大约250种晶体类型，包括3C、4H和6H等，但4H-SiC尤其受到人们的关注。"4H"代表六角晶型，数字“4”表示C-Si双原子层沿C方向的堆垛周期数。
4H-SiC晶体基片的制备工艺一般包括物理气相传输法（PVT），这种方法可以制备出直径209 mm的4H-SiC单晶，然后通过多线切割、研磨和抛光等一系列加工工艺制备出标准8英寸SiC单晶衬底。此外，另一种新的突破方法是晶圆级立方碳化硅单晶生长，该晶体与目前应用广泛的六方碳化硅（4H-SiC）不同，有望制备出更高性能的产品。
在电学性质上，4H-SiC具有显著的优势。例如，其禁带宽度可以达到3.26eV，迁移率高：900cm2/V.s。因此，4H-SiC晶体基片被广泛应用于电力电子、射频微波等领域。
产品名称
4H-SiC晶体基片
技术参数
晶体结构: 六方晶系
晶格常数：a=3.08Å c=10.05Å
熔点2827℃
硬度(Mohs)：≈9.2
方向：生长轴或偏(0001) 3.5°
密度（g/cm3）3.16
带隙：2.93eV (间接)
导电类型：N导电
电阻率:0.1-0.01 ohm-cm
介电常数：e(11) = e(22) = 9.66 e(33) = 10.33
导电率：5W / cm·K
生长方式：MOCVD(有机金属化学气相沉积）
产品规格
常规晶向：
常规尺寸：10x5mm 10x10mm,dia2"x0.33mm,dia4"x0.35mm
抛光情况：单抛、双抛抛光面：常规单抛为“Si” 面抛光，可按要求做“C”面抛光
抛光面粗糙度：< 15A注：尺寸及方向可按照客户要求定做。
晶体缺陷
人工生长单晶都可能存在晶体内部缺陷。
标准包装
1000级超净室，100级超净袋或单片盒封装
晶体材料咨询电话：199-5653-2471王经理
4H-SiC晶体基片是碳化硅（SiC）的一种晶体类型，碳化硅有大约250种晶体类型，包括3C、4H和6H等，但4H-SiC尤其受到人们的关注。"4H"代表六角晶型，数字“4”表示C-Si双原子层沿C方向的堆垛周期数。
4H-SiC晶体基片的制备工艺一般包括物理气相传输法（PVT），这种方法可以制备出直径209 mm的4H-SiC单晶，然后通过多线切割、研磨和抛光等一系列加工工艺制备出标准8英寸SiC单晶衬底。此外，另一种新的突破方法是晶圆级立方碳化硅单晶生长，该晶体与目前应用广泛的六方碳化硅（4H-SiC）不同，有望制备出更高性能的产品。
在电学性质上，4H-SiC具有显著的优势。例如，其禁带宽度可以达到3.26eV，迁移率高：900cm2/V.s。因此，4H-SiC晶体基片被广泛应用于电力电子、射频微波等领域。
产品名称
4H-SiC晶体基片
技术参数
晶体结构: 六方晶系
晶格常数：a=3.08Å c=10.05Å
熔点2827℃
硬度(Mohs)：≈9.2
方向：生长轴或偏(0001) 3.5°
密度（g/cm3）3.16
带隙：2.93eV (间接)
导电类型：N导电
电阻率:0.1-0.01 ohm-cm
介电常数：e(11) = e(22) = 9.66 e(33) = 10.33
导电率：5W / cm·K
生长方式：MOCVD(有机金属化学气相沉积）
产品规格
常规晶向：
常规尺寸：10x5mm 10x10mm,dia2"x0.33mm,dia4"x0.35mm
抛光情况：单抛、双抛抛光面：常规单抛为“Si” 面抛光，可按要求做“C”面抛光
抛光面粗糙度：< 15A注：尺寸及方向可按照客户要求定做。
晶体缺陷
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4H-SiC晶体基片是碳化硅（SiC）的一种晶体类型，碳化硅有大约250种晶体类型，包括3C、4H和6H等，但4H-SiC尤其受到人们的关注。"4H"代表六角晶型，数字“4”表示C-Si双原子层沿C方向的堆垛周期数。
4H-SiC晶体基片的制备工艺一般包括物理气相传输法（PVT），这种方法可以制备出直径209 mm的4H-SiC单晶，然后通过多线切割、研磨和抛光等一系列加工工艺制备出标准8英寸SiC单晶衬底。此外，另一种新的突破方法是晶圆级立方碳化硅单晶生长，该晶体与目前应用广泛的六方碳化硅（4H-SiC）不同，有望制备出更高性能的产品。
在电学性质上，4H-SiC具有显著的优势。例如，其禁带宽度可以达到3.26eV，迁移率高：900cm2/V.s。因此，4H-SiC晶体基片被广泛应用于电力电子、射频微波等领域。
产品名称
4H-SiC晶体基片
技术参数
晶体结构: 六方晶系
晶格常数：a=3.08Å c=10.05Å
熔点2827℃
硬度(Mohs)：≈9.2
方向：生长轴或偏(0001) 3.5°
密度（g/cm3）3.16
带隙：2.93eV (间接)
导电类型：N导电
电阻率:0.1-0.01 ohm-cm
介电常数：e(11) = e(22) = 9.66 e(33) = 10.33
导电率：5W / cm·K
生长方式：MOCVD(有机金属化学气相沉积）
产品规格
常规晶向：
常规尺寸：10x5mm 10x10mm,dia2"x0.33mm,dia4"x0.35mm
抛光情况：单抛、双抛抛光面：常规单抛为“Si” 面抛光，可按要求做“C”面抛光
抛光面粗糙度：< 15A注：尺寸及方向可按照客户要求定做。
晶体缺陷
人工生长单晶都可能存在晶体内部缺陷。
标准包装
1000级超净室，100级超净袋或单片盒封装
晶体材料咨询电话：199-5653-2471王经理
4H-SiC晶体基片是碳化硅（SiC）的一种晶体类型，碳化硅有大约250种晶体类型，包括3C、4H和6H等，但4H-SiC尤其受到人们的关注。"4H"代表六角晶型，数字“4”表示C-Si双原子层沿C方向的堆垛周期数。
4H-SiC晶体基片的制备工艺一般包括物理气相传输法（PVT），这种方法可以制备出直径209 mm的4H-SiC单晶，然后通过多线切割、研磨和抛光等一系列加工工艺制备出标准8英寸SiC单晶衬底。此外，另一种新的突破方法是晶圆级立方碳化硅单晶生长，该晶体与目前应用广泛的六方碳化硅（4H-SiC）不同，有望制备出更高性能的产品。
在电学性质上，4H-SiC具有显著的优势。例如，其禁带宽度可以达到3.26eV，迁移率高：900cm2/V.s。因此，4H-SiC晶体基片被广泛应用于电力电子、射频微波等领域。
产品名称
4H-SiC晶体基片
技术参数
晶体结构: 六方晶系
晶格常数：a=3.08Å c=10.05Å
熔点2827℃
硬度(Mohs)：≈9.2
方向：生长轴或偏(0001) 3.5°
密度（g/cm3）3.16
带隙：2.93eV (间接)
导电类型：N导电
电阻率:0.1-0.01 ohm-cm
介电常数：e(11) = e(22) = 9.66 e(33) = 10.33
导电率：5W / cm·K
生长方式：MOCVD(有机金属化学气相沉积）
产品规格
常规晶向：
常规尺寸：10x5mm 10x10mm,dia2"x0.33mm,dia4"x0.35mm
抛光情况：单抛、双抛抛光面：常规单抛为“Si” 面抛光，可按要求做“C”面抛光
抛光面粗糙度：< 15A注：尺寸及方向可按照客户要求定做。
晶体缺陷
人工生长单晶都可能存在晶体内部缺陷。
标准包装
1000级超净室，100级超净袋或单片盒封装
晶体材料咨询电话：199-5653-2471王经理
4H-SiC晶体基片是碳化硅（SiC）的一种晶体类型，碳化硅有大约250种晶体类型，包括3C、4H和6H等，但4H-SiC尤其受到人们的关注。"4H"代表六角晶型，数字“4”表示C-Si双原子层沿C方向的堆垛周期数。
4H-SiC晶体基片的制备工艺一般包括物理气相传输法（PVT），这种方法可以制备出直径209 mm的4H-SiC单晶，然后通过多线切割、研磨和抛光等一系列加工工艺制备出标准8英寸SiC单晶衬底。此外，另一种新的突破方法是晶圆级立方碳化硅单晶生长，该晶体与目前应用广泛的六方碳化硅（4H-SiC）不同，有望制备出更高性能的产品。
在电学性质上，4H-SiC具有显著的优势。例如，其禁带宽度可以达到3.26eV，迁移率高：900cm2/V.s。因此，4H-SiC晶体基片被广泛应用于电力电子、射频微波等领域。
产品名称
4H-SiC晶体基片
技术参数
晶体结构: 六方晶系
晶格常数：a=3.08Å c=10.05Å
熔点2827℃
硬度(Mohs)：≈9.2
方向：生长轴或偏(0001) 3.5°
密度（g/cm3）3.16
带隙：2.93eV (间接)
导电类型：N导电
电阻率:0.1-0.01 ohm-cm
介电常数：e(11) = e(22) = 9.66 e(33) = 10.33
导电率：5W / cm·K
生长方式：MOCVD(有机金属化学气相沉积）
产品规格
常规晶向：
常规尺寸：10x5mm 10x10mm,dia2"x0.33mm,dia4"x0.35mm
抛光情况：单抛、双抛抛光面：常规单抛为“Si” 面抛光，可按要求做“C”面抛光
抛光面粗糙度：< 15A注：尺寸及方向可按照客户要求定做。
晶体缺陷
人工生长单晶都可能存在晶体内部缺陷。
标准包装
1000级超净室，100级超净袋或单片盒封装
晶体材料咨询电话：199-5653-2471王经理
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