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Si晶体基片
发布时间：1970-01-01 00:00:00 浏览次数：82
化学符号为Si,主要用途有：制作半导体器件、红外光学器件及太阳能电池衬底等材料
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产品名称 | Si 单晶基片 |
技术参数 | 晶体结构：立方晶系 |
晶格常数：a=5.4301 Å | |
掺杂类型：N型不掺杂、N型掺P、N型掺As、N型掺Sb、P型掺B | |
硬度（mohs):6.5 | |
电阻率：10000～0.001Ω.cm | |
超导率（w/m.k):149 | |
密度：2.329（g/cm3） | |
熔点：1414℃ | |
热膨胀系数（/k):2.6×10-6 | |
生长方法：CZ和FZ | |
产品规格 | 常规晶向 |
常规尺寸：Dia4”x0.5mm、dia2”x0.5mm | |
抛光情况：单抛、双抛、细磨 | |
抛光面粗糙度：< 10A | |
注：尺寸及方向可按照客户要求定做。 | |
晶体缺陷 | 人工生长单晶都可能存在晶体内部缺陷. |
标准包装 | 1000级超净室，100级超净袋或单片盒封装 |
晶体材料咨询电话：199-5653-2471王经理
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