PMN-PT晶体

PMN-PT晶体是一种新型的压电材料，具有高压电常数、大机电耦合系数、高介电常数、低损耗的特性，尤其其压电性能比普通的压电材料要提高10倍左右。此外，PMN-PT晶体还表现出优异的非线性光学性能和热释电性能。这种材料的应用范围非常广泛，不仅可以满足新一代高性能压电换能器、非线性光学器件和光电探测器件（如红外探测器）的核心材料需求，而且在许多领域都能发挥重要作用。例如，PMN-PT晶体是人类已知的压电材料中，压电灵敏度最高的一类材料，其压电感应效率是现有PZT陶瓷的将近3倍。此外，第二代压电晶体PIN-PMN-PT（铌铟酸铅-铌镁酸铅-钛酸铅）晶体在不牺牲铁电性能的情况下，其相变温度 (TR-T)与绞顽场 (Ec)得到明显提升，应用在对环境温度较高和功率较大的场合，例如军用水底声纳以及热点传感器等领域。

产品名称	PMN-PT晶体基片
技术参数	晶体结构：赝立方晶系
	晶格常数：a=~4.024 Å
	密度：8.1 g/cm3
	熔点：1280°C
	硬度： 3.5mohs
	热膨胀系数10.4x10-6/K
	耦合常数：k33(longitudinal mode) >92%kt(thickness mode) 59-62%k33'(beam mode) 84-88%
	压电系数d33 ：>2000 pC/N
	介电常数e(at 1kHz after poling) ：4000 – 6000
	介电损耗：tan d<0.9居
	里温度 ：135-150°C
	生长方法：坩埚下降法
产品规格	常规晶向：
	晶向公差：  ±0.5°
	常规尺寸：10x10x0.5mm, 10x5x0.5mm，5x5x0.5mm
	抛光情况：单抛、双抛、细磨
	抛光面粗糙度：Ra<15A （单晶内部有畴）
	注：尺寸及方向可按照客户要求定做。
晶体缺陷	人工金属单晶存在常见晶体缺陷等。
标准包装：	1000级超净室，100级超净袋封装