发布时间:2024-04-13 浏览次数:15
NdGaO3晶体
NdGaO3是近十年中发展起来的新型基片,主要用作高温超导体(如YBCO)及磁性材料的外延薄膜生长用基片。由于NdGaO3与YBCO的晶格失配很小(~0.27%),且无结构相变,在NdGaO3基片上可外延生长质量良好的薄膜。
产品名称
镓酸钕(NdGaO3)晶体基片
技术参数
晶体结构:正交晶系
晶格常数:a=5.43 Å b=5.50
Å c=7.71Å
密度:7.57 g/cm3
熔点:1600 °C
硬度:5.9 Mohs
介电常数:<20在300k
生长方法:提拉法
产品规格
常规晶向: <100>、<001>、<110>、<010>
公差:±0.5°
常规尺寸:10x10x0.5mm, 10x5x0.5mm,5x5x0.5mm
抛光情况:单抛 、双抛粗糙度:<5A
注:可根据客户需求提供特殊的尺寸和方向;
晶体缺陷
人工生长单晶有可能存在晶体内部缺陷
标准包装
1000级超净室,100级超净袋或单片盒封装
晶体材料咨询电话:199-5653-2471王经理