MoTe2二碲化钼

产品名称	MoTe2二碲化钼
技术参数	类型：CVD法人工合
	成纯度：>99.99％
	外观：黑色
	电导：半导体
	带隙：块体直接带隙 0.8 eV，单层直接带隙 1.24 eV
	常规尺寸：~ 3x3x0.1 mm 面积≥10平方毫米
	晶体结构：六方晶系
	生长方法：化学气相传输
	晶体常数：a=b=3.83Å   c=13.96Å  α=β=90°  γ=120°
标准包装	1000级超净室，100级超净袋或单片盒封装

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