InP非常适用于高频器件，如高电子迁移率晶体管和异质结双极晶体管(HBT)等方面。InP基器件在笔米波、通讯、防撞系统、图像传感器等领域有广泛应用

产品名称	磷化铟(InP)晶体基片
技术参数	晶体结构:立方晶系
	晶格常数:a=5.4505  Å
	掺杂:None;Sn;S;Fe:Zn
	密度:4.81g/cm3
	硬度:3 Hohs
	导电类型:N;N;N;Si;P
	折射率:3.45
	载流子浓度:1-2x1016  1-4x1018  1-3x1018  .64x1018
	位错密度:<5x104 cm-2
	生长方法:LEC
	熔点:1062℃
	弹性模量:7.1E1ldym  cm-2
产品规格	常规晶向:
	常规尺寸:2″~x0. 5mm  10x10x0.5mm
	抛光情况:单抛
	表面粗糙度:15A
	注:只寸及方向可按照客户要求定做
晶体缺陷	人工金属单晶存在常见晶体缺陷，表面可能会有小黑点，微小气泡等
标准包装	1000级超净室，100级超净袋或单片盒封装