Ge(锗)主要用途有：制作半导体器件、红外光学器件及太阳能电池衬底等材料。

产品名称	Ge晶体基片
技术参数	晶体结构：立方晶系
	晶格常数：5.6754 Å
	密度：5.323 g/cm3
	熔点：937.4 ℃
	介电常数：16.2
	热导率（w/m·k）：60.2
	掺杂物质：不掺杂；掺Sb；掺In或Ga；
	类型：N型 和 P型
	电阻率 W·cm：>35  0.05  0.05-0.1
	EPD:< 4x103/cm2    < 4x103/cm2   < 4x103/cm2
	生长方法：直拉法
产品规格	常规晶向：<100>、<110>、<111>
	晶向公差：±0.5°
	常规尺寸：10x10x0.5mm，10x5x0.5mm,dia2",dia3"
	抛光情况：单抛、双抛
	表面粗糙度：< 5A
	注：尺寸及方向可按照客户要求定做。
晶体缺陷	人工生长单晶有可能存在晶体内部缺陷。
标准包装	1000级超净室，100级超净袋或单片盒封装