GaAs晶体

砷化镓是一种重要的半导体材料。属Ⅲ－Ⅴ族化合物半导体。属闪锌矿型晶格结构。砷化镓是半导体材料中，兼具多方面优点的材料,但用它制作的晶体三极管的放大倍数小，导热性差，不适宜制作大功率器件。

产品名称	砷化镓(GaAs)晶体基片
技术参数	晶体结构：立方晶系
	晶格常数：a=5.6534Å
	导电类型：N型掺Si；N型掺Te；不掺杂；P型掺Ga
	熔点：1237°C
	禁带宽度:1.4电子伏
	介电常数：13.1
	位错密度：<5x103cm^2 等
	迁移率：(3500-3600)cm2/vs 等
	生长方法:VGF生产方法
产品规格	常规晶向： 、、
	常规尺寸：10x10x0.35mm；dia2″x0.35mm；
	抛光情况：单抛、双抛
	表面粗糙度：<15A
	注：尺寸及方向可按照客户要求定做。
晶体缺陷	人工生长单晶有可能存在晶体内部缺陷。
标准包装	1000级超净室100级超净袋