近十年来，β-氧化镓（β-Ga2O3）材料和器件技术取得了快速发展，其禁带宽度EG=4.9eV，远超碳化硅(约3.4eV)、氮化镓(约3.3eV)和硅(1.1eV)，其导电性能和发光特性良好，具有很强的电子学、光学和热学性能。它具有高折射率、可调谐的拉曼散射响应、低的漏电流和以非常稳定的外延特性。它还具有出色的小波纹动态动态特性和高的发射效率。此外，它还具有很高的压集能和硒的抗氧化能。

ß-Ga2O3是一种透明的氧化物半导体材料，在光电子器件方面有广阔的应用前景 ，被用作于Ga基半导体材料的绝缘层，以及紫外线滤光片。它还可以用作O2化学探测器。

产品名称	ß-Ga2O3单晶基片
技术参数	晶体结构：单斜晶系
	晶格常数：a=12.23A,b=3.04A, c=5.80A, ß=103.7°
	密度：5.95g/cm3
	熔点：1725℃
	掺杂类型：N型
	电阻率：R≤0.2Ω·cm
	迁移率：300cm2/v·s
	禁带宽：4.8-4.9V
产品规格	常规晶向： (100)
	常规尺寸：10x10x0.7-0.8mm.
	抛光情况：单抛、双抛
	表面粗糙度：<15A
	注：尺寸可按照客户要求定做。
晶体缺陷	人工生长单晶有可能存在晶体内部缺陷。
标准包装	1000级超净室100级超净袋真空包装