GaN晶体氮化镓是氮和镓的化合物，是一种直接能隙的半导体,由于具有化学稳定性好、热传导性能优良、击穿电压高、大功率，近年在光电子领域和高温高频电子应用备受关注，是目前最优秀的半导体材料。

产品名称：	GaTe 单晶基片
技术参数：	电阻率:N/A
产品规格;	晶向:(0001)
	尺寸:10x10x1.0mm
	抛光情况:抛光，自然解理面
	注:可按客户要求定制方向和尺寸
标准包装	标准包装:1000 级超净室，100级超净袋
产品名称	氮化镓(GaN)晶体基片
技术参数	晶体结构：六方晶系
	晶格常数a= 3.186 Å ,  c = 5.186 Å
	传导类型：N型掺Si；N型不掺杂
	可用表面积：>90%
	位错密度：（5-9）x105Ω.cm
	电阻率：R<0.05 Ω.cm；R<0.1Ω.cm
	介电常数：8.9
	TTV：≤15um
	密度：6.15（g/cm3）
	生长方法：HVPE（氢化物气相外延法）
产品规格	常规晶向：  (0001)
	常规尺寸：10.5x10x0.35mm、5x5x0.35mm
	表面粗糙度：<5Å
	注：尺寸可按照客户要求定做。
晶体缺陷	人工生长单晶有可能存在晶体内部缺陷。
标准包装	1000级超净室100级超净袋或单片盒装