锗酸铋（Bi4Ge3O12简称BGO）是一种具有立方结构、无色透明的无机氧化物晶体，它不溶于水，在高能粒子或高能射线（x-射线、γ-射线）激发下能发出峰值为480nm波长的绿色荧光。BGO晶体具有强阻止射线能力、高闪烁效率、优良的能量分辨率及不潮解等优点，所以是一种优良的闪烁体，广泛应用于高能物理、核物理、空间物理、核医学、地质勘察和其它工业领域。

产品名称	锗酸铋(Bi4Ge3O12)晶体基片
技术参数	晶体结构：立方晶系
	晶格常数：a=10.518Å
	纯度：>99.99％
	密度：7.12g/cm3
	硬度：5( mohs)
	熔点：1050 ℃
	透过范围：350~5500nm
	电光系数 ： r41=1.03x10-12m/V
	折射率： 2.098@ 632.8nm
	激发光谱： 305nm
	临界能量： 10.5Mev
	能量分辨率： 20%511 keV @
	生长方法：提拉法
产品规格	常规晶向：（100）
	晶向公差：±0.5°
	内常规尺寸：10x10x0.5mm, 10x5x0.5mm，5x5x0.5mm
	抛光情况：单抛、双抛
	抛光面粗糙度：Ra<5A
	注：可按照客户要求加工尺寸和晶向。
晶体缺陷	人工生长单晶都可能存在晶体内部缺陷。
标准包装	1000级超净室，100级超净袋或单片盒封装

晶体材料咨询电话：199-5653-2471王经理