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AIN(氮化铝)单晶衬底

发布时间:2024-03-16  浏览次数:65

AIN单晶衬底是一种具有特殊性能的宽禁带半导体材料

晶体结构:

六方晶系

晶格常数:

a=3.112Å;C=4.982Å

密度:

3.23g/cm3

热导率:

285w/mk

可用区域:

>80%

EPD :

<1E5 cm-2

吸收系数:

<80 cm-1

常规晶向:

c平面(0001

常规晶向:

1°

晶向公差:

10x10x0.45mm±50μm5x5x0.45mm±50μm

常规尺寸:

双抛

抛光情况:

A1:CP抽光(RMS<0.8nm)

抛光面粗糙度:

N:光学抛光(RMS<3nm)

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