AIN单晶衬底是一种具有特殊性能的宽禁带半导体材料

晶体结构:	六方晶系
晶格常数:	a=3.112Å;C=4.982Å
密度:	3.23g/cm3
热导率:	285w/mk
可用区域:	>80%
EPD :	<1E5 cm-2
吸收系数:	<80 cm-1
常规晶向:	c平面(0001
常规晶向:	士1°
晶向公差:	10x10x0.45mm±50μm、5x5x0.45mm±50μm
常规尺寸:	双抛
抛光情况:	A1面:CP抽光(RMS<0.8nm)
抛光面粗糙度:	N面:光学抛光(RMS<3nm)